英文字典中文字典


英文字典中文字典51ZiDian.com



中文字典辞典   英文字典 a   b   c   d   e   f   g   h   i   j   k   l   m   n   o   p   q   r   s   t   u   v   w   x   y   z       







请输入英文单字，中文词皆可：


请选择你想看的字典辞典：
单词字典翻译
longifolium查看　longifolium　在百度字典中的解释百度英翻中〔查看〕
longifolium查看　longifolium　在Google字典中的解释Google英翻中〔查看〕
longifolium查看　longifolium　在Yahoo字典中的解释Yahoo英翻中〔查看〕

安装中文字典英文字典查询工具!


中文字典英文字典工具:
选择颜色:
输入中英文单字

































































英文字典中文字典相关资料:


  • 半导体的掺杂 - 知乎
    掺杂是为控制半导体的性质，人为掺入杂质的工艺过程。 掺杂杂质一般为替位式掺杂，即由杂质原子取代晶格位点处的原始原子。
  • 简单科普：什么是P、N型掺杂、PN结、PMOS、NMOS . . .
    本文介绍了半导体的基础知识，包括P型和N型掺杂、PN结的形成及其单向导电性，以及PMOS、NMOS和CMOS技术的应用与发展。
  • 硅的p型掺杂工艺 - 百度文库
    p型掺杂是指向硅材料中引入p型杂质原子，如铝 (Al)、硼 (B)等，使硅材料中的电子浓度减少，空穴浓度增加，从而使硅材料呈现出p型半导体的特性。 在p型掺杂过程中，杂质原子取代硅晶格中的部分硅原子，形成p型杂质能级，使得硅材料的导电性质发生变化。 p型掺杂工艺是一种重要的半导体材料调控方法，能够使硅材料具备p型半导体的特性。 通过扩散法等工艺，我们可以成功地将p型杂质原子引入硅材料中，实现对硅材料导电性质的控制。 p型掺杂在半导体器件制造和光电器件制备中都具有广泛的应用前景。 随着科技的不断进步，我们相信p型掺杂工艺将在更多领域中发挥重要作用。 通过上述步骤，我们可以成功地将p型杂质原子引入硅材料中，实现p型掺杂。 p型掺杂后的硅材料具有了p型半导体的特性，即导电性由电子主导变为空穴主导。
  • 半导体掺杂工艺简介
    半导体掺杂工艺简介在半导体制造领域，掺杂是一项至关重要的工艺，它通过向纯净的半导体材料中引入特定种类的杂质原子，从而改变其电导率及其他电学性能。以最常见的半导体材料硅为例，未经掺杂的本征硅虽然具有高度有序的晶体结构，但其载流子（即自由电子和空穴）浓度极低，导致导电
  • 掺杂 (半导体) - 维基百科，自由的百科全书
    此杂质称为 掺杂剂 （dopant）或 掺杂物，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。 轻度和中度掺杂的半导体被称作是 杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑 费米统计律 带来的影响，这种情况被称为 简并半导体。
  • P型半导体材料：现代电子工业的隐形支柱最新资讯
    在这一过程中，通过向熔硅中加入精确计量的硼或其他Ⅲ族元素，可以实现对P型硅片的掺杂控制。 区熔法是另一种重要的单晶制备技术，特别适用于制造高电阻率、低氧含量的P型硅材料。
  • 什么是半导体掺杂模型？ N型 P型载流子调控与MOSFET . . .
    N型掺杂通常使用五价元素（如磷、砷）作为掺杂剂，这些元素在晶格中形成额外的电子，从而增加材料的导电性；而P型掺杂则使用三价元素（如硼、铝），它们在晶格中形成空穴，从而提高材料的导电性。
  • p型半导体 | 东芝半导体 存储产品中国官网
    A p-type semiconductor is a group IV intrinsic semiconductor such as silicon (Si) doped with group III boron (B) or indium (In) as an impurity Group IV elements are tetravalent elements with four valence electrons, while group III elements are trivalent elements with three valence electrons
  • 【半导体基础 器件】11掺杂的化学键解释+能带图解释（非本 . . .
    硅中掺入硼为p型掺杂，p表示空穴，称p型掺杂是因为硅中掺入硼后空穴浓度远大于电子，多数载流子为空穴。 如图，我们在硅中掺入一个硼杂质即为p型掺杂，硼的三个价电子与硅形成共价键，还剩一个共价键的位置是空的，与n型掺杂不同，p型掺杂没有多余的额外的价电子，只有其他硅原子共价键中的处于价带的电子获得能量激发到杂质能级，才会填充杂质原子的共价键空位，当这个空位被填满时，其他价电子原本所在的位置将变空，我们把这些空位称为空穴，空穴带正电，由于空穴的“移动”，总有电子补充过来，表现为空穴移走后，使原本束缚它的硼原子带上负电。 注：①掺杂的硼提供载流空穴（提供空穴本质是接受电子，因此称为受主），但是不增加电子浓度。
  • 半导体掺杂技术_百度百科
    掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。





中文字典-英文字典  2005-2009